みなさん、こんにちは。STMicroElectronics Azure Pacific 地区のシステムソリューションラボの山田です。この動画では、ガンヘムトを搭載した先進的な技術共振フライバック制御のICと、従来のシリコンモスフェットを搭載した制御ICによる年力効率比較デモをご紹介します。このデモで使用する評価ボードは、最近トレンドの高出力で小型なアダプター向けに開発されたものです。そのため、50Wクラスの電源システムをさらに効率化、さらに小型化を検討されている方に最適です。はじめにこのデモで使用するSTデバイスの紹介になります。制御は、技術共振フライバック、650Vガンヘムトを搭載し、交代圧起動回路を内蔵しております。各種保護機能も充実しており、出力OVP、OLP、OTP、インプットOVP、ブラウンアウトがあります。最大240KHzのスイッチング周波数プラスジッターリングで駆動します。KF化の適用型バーストモード、高効率向けダイナミックブランキングタイムとアジャスタブルバレー建築機能を搭載しております。メリットになります。このデバイスは、ワイドバンドギャップのガンヘムトを初めて導入していただくお客様に使いやすい製品となっております。基盤の軽量化、小型化、それから自製部品の最小化小型化、効率化、温度上昇の低下、省エネ規制への対応、こういったところが実現できるものになります。続いて評価ボードの説明になります。対象のアプリケーションは主にアダプター充電器を想定していますが、一般的な家電や民生機器、産業機器などの電源にもおよが可能です。最大45Wを出力し、USBパワーデリバリーの出力となっております。USBPDのプロファイルには、5V、9V、12V、15V、20Vに対応しております。利点としましては、基盤のサイズが非常に小さくなること、それから表にはもあるとおり、ピーク効率が92%まで到達すること。それにより、省エネ規格に準拠し、さらにこの基盤自体はEMIの規格にも準拠しております。こちらが今回のバイパーガンの基盤になります。こちらがシリコンモーセイフィティの従来の基盤になります。ご覧いただいてわかるとおり、ボードサイズが約50%になります。また、500円玉との比較でも極めて小さいことがわかります。もちろん基盤サイズ同様、重量も削減されております。続いてデモの説明になります。こちらが今回のバイパーガンを搭載した45Wの評価ボードになります。こちらが従来のシリコンモーセイフィティプラス制御ICの評価ボードになります。効率が約1.5%向上しているのが、こちらでデモで見ることができます。以上、ガンヘムトを搭載した高効率フライバック制御ICによる電力効率比較デモをご紹介させていただきました。高効率フライバック制御ICを使って電源システムの開発をご検討の皆様、STが開発のサポートをさせていただきますので、ぜひお気軽にお問い合わせください。ご覧いただきありがとうございました。