こちらでは システムの軽量化 高効率化を実現するSTMicroelectronicsのシリコンカーバイドモスフェットを 紹介しますシリコンカーバイドモスフェットはワイドバンドギャップハンドウタイである ガリウムナイトライドトランジスタと並んで高周波スイッチング領域を 要するアプリケーションに利用されますシリコンカーバイドモスフェットは ガリウムナイトライドトランジスタより高耐壓かつ熱耐性が優れているため非常に高い電力のアプリケーションに向いていますSTのSI-Cモスフェットは 第1世代から始まり 現在 第3世代までリリースされています最先端のテクノロジーである 第3世代では 第2世代に続き温定高とゲイッチャージの性能指数で比較すると10%の温定高成分特性向上を達成しましたさらに第3世代では 15Vのゲート電圧で駆動しても十分な低さの温定高を得られるため これまで18V必要だったゲートドライブの設計がより容易になりましたパッケージオプションとして 表面実装 スルーホール ロングリードスルーホールTGA200度まで強要可能なパッケージが ラインナップされておりさまざまな実装状況に対応していますまた 耐熱については 650V 1200V以外に1000700Vと超交代圧製品もラインナップされておりユーザーのニーズに後半位でお答えできますこちらに掲載されていない 1700V製品に関してはST Micro Electronicsのウェブページをご参照くださいここでは 7600Wのフライバック電源ボードにてシリコンカーバイドモスペットと シリコンモスペットの比較結果を示しています右側のグラフをご覧くださいシリコンカーバイドモスペットでは 最大負荷にて効率88%と効率を高みにくい 高電圧入力のフライバックにおいて極めで高い値をマークしていますまた 使用しているSCT1000N170はTGA200度動作保証のため 高効率化だけでなく放熱機構の軽量化にも有効です掲載されているフォーカーボードとモスペットはST Micro Electronicsのウェブページから 購入て続きができますぜひご検討ください以上でST Micro Electronics製シリコンカーバイドモスペットの説明を終わりますご視聴ありがとうございました