 Hania, pričo se lahko so, da vse dobrali organizacije, da ima se počas, da se nekaj ne bojo v Českog odnah. Al bojo nekaj vse prvi je, da načine imo res možemo boja, da so da so pričal, da nekaj ne bojo vzpe. To je 89, na IBM, Zdaj sem šokal, da vidim tudi malo ljubi, z njimljim, šaj smij na svoj svetu. Zdaj sem tukaj nekaj? Zdaj sem šaj, nekaj, šaj. Zdaj sem šokal, da je tukaj 10 ljubi, V 1979 različili smo spetljenje, kaj je to kompanije, kaj je vrstavljala rečenje v engliči, tako, da bi smo prišli v kompeticiju, vrstavljali bojskih rečenje, kaj imaš taj grač. In vsega, kaj je vrstavljala, taj da je zelo tukaj, in sem vysel svar, da bomo vsev. To sem država, da zelo tukaj, da zelo tukaj, da mi je tukaj, da pa je tukaj, da mi je tukaj, da mi je tukaj. I da mi je tukaj, da mi je tukaj, da mi je tukaj. je to nemožnja vseša, ki je naša začala. Vse sem podostali, da sem podostala, počke imam, da sem bilo vseč. Ako več, da sem bilo za tudi inkantačnih, ko sem zelo vseč, neko mije, ko je vseč načinje, da neč neko toh, kako se izpracuje, da se počuči začnega, da je to v živosti, včešči z taj napotnev in všelj. Zelo sem pogleda, da se počuči začnega, da je vse nekaj, ko je inšta, je da je nekaj, da je vse nekaj, nekaj nekaj, da je nekaj, If still wouldn't let go for this chocolate bar that keeps in his hand. So good show young man, keep it up and many happy returns. Okay. So since lunch is looming, I can hear the French fries already buzzing. So maybe we should get a head with the program. In všeč, da sem tudi izgleda, nekaj je teknik. Zvuk je, da je tudi izgleda? Zvuk je. Zvuk je, da je tudi izgleda? Zvuk je. Zvuk je. Zelo je zelo, da je zelo, da je zelo, da je zelo, da je zelo. Oz s in... tudi več. Zelo. tudi v nodu, da je bilo ležno, posledajte ozvodvene. Včešal, modulacijo vstatske, mene bodo se recapitali v complicated. Tukaj, ozvodzila mi je to zrdu veliko zelo. Akšnja je, na da boš zapečila, da se tento sudanic vstavlje ozvali vstacijo vstatske energije modulacijo. Zelo, da bude... Zelo je tudi, da ne izvajete, da je, da je to začala, kar je bolj ta vsebezačne zelo. Pa tudi je to vsebezačno, kaj da sem tegačne vsebezačne. Tako, da imaš potrebran, da bi se tako, ki se tače, ne bo tako. Ne bomo pošličili, da se je, En reportedly it is going to be implicit in what I am going to show you. Now the system, as Alec was saying, the system that I am going to show the main results, not all of them but the main results is tracogonide it is a semiconductor. It is a narrow gap semiconductor – the order of .4. raise one particular feature to this semiconductor which is very useful as you are going to see later, which is the reason why I chose it. Because otherwise it is quite similar to the indium oxide, it is also similar to the Indian, crystalline in the indium oxide. In that it has a lot of commercial value and it is advantageous for us, because that means a lot of work has been done on it to characterize it, zelo vsega, škematika vsega izgleda izgleda izgleda, predvajte, da zelo vsega energija izgleda na vsega vsega vsega, tako, da se vsega nekaj je dobrovaj. Na zelo vsega je to odvršeno, načo je to izgleda, da zelo vsega vsega nekaj je dobrovaj, ki se zelo vsega vsega vsega nekaj je dobrovaj in ta vsega je vsega vsega in je vsega vsega. na našem labu, za dozelnosti samplev, z resistenstvom z zeločenjem, in načinjem. Tukaj, različenje, kaj smo zeločili, zeločenje je nekaj nekaj zeločenih parametrov, zeločenje, nekaj zeločenih parametrov, zeločenih parametrov, zeločenih parametrov, zeločenih parametrov. to je hvalje. A potem, tudi še malo vidimo, da, kaj je vse čušnja, bilo je bilo velik na domog, a posleda se danes skupnja, oče je tm. memori div. Tato je nekajdveček. Śrkaj se od investmentarja v kašnji cups. Vsi se tudi je nekajdveček vseしました, tamo nečo evoval začijelo dedek. No kajdveček tudi se disagreei, and we see how it depends on what you see above. That is number one. Number two, it appears, the feature appears to be centered in this case at zero gate voltage. But that is because the system was allowed to relax while keeping zero gate voltage at the gate. You see later that that is not necessarily so. Now, that feature, since it has to be consistent with the upper one, Skupaj, ki biloče se začeli, da je veliko obiljene, ta vsej obiljena, to je biloče deljena, kako je vse odrčila, da taj drugi režim ne bo drugi režim, bo v metallici. To je delj ten stransk, kaj mi je lukalizala režim fenomenon. Nelj je biloče nešel. Vse zelo se našli na to, da smo odrečali. To je ljudje nilovega ovo. Zelo smo zelo vzouto materijali in smo spetili vse rezultate in vzouto, ki so ne bojte način. V tem nekaj ne zelo smo sveti, kaj je nekaj ne zelo vzouto vzouto vzouto. Zelo smo se nekaj nezelo. Zelo smo se nekaj nezelo, ker je to neko začel, nekaj nezelo vzouto vzouto, ki se zelo vzouto vzouto vzouto vzouto. je skočil, ki sem izgledal, je zelo v exempli, na danes počanje, ker je vrat, ali pikro, ki sem izgledal, in posao ni powderizav duče. In, eno, što jo je, bolj je, skaj je thanks z vso Half of the puzzle. To je, da je, kaj sem izgledal. Až je, prejte, Mojno seniors like samples with different carrier concentrations and you see that when the density is large, the width is relatively large. When it is small, it is much smaller. So far, that has been with the only system where you can do that, systematically change the carrier concentration over a wide range. That is one of the advantages of theko in uvršenju. Zelo ne potrebno dojati krištela in verženja. Zelo je nekaj aventage, nekaj dojati o flexibilitetu. In vse rezultate pravajo na tega geometrija, zelo na tega spaceru. Kapacitant je včetno, da je zelo na vršenju, tako je zelo na vršenju spaceru. My somamt reminding forge Aktiviz that this width depends only on the carry concentration. It does not depend on the disorder, you can study a sample from a mega ohm all the way to a hundred gigohm and even more, the width is going to be the same. Many others Now, where is the new guy show up on this scale? It is over there. Maybe by accident. Nekaj ne zavodujem, da sem zapratila, da sem to ne bilo universalne, da sem jaz veliko nezaj, da je nezaj. Zelo, ko je vsega in tvojeh, ko je vsega, rejde v nekaj nekaj nezavodili sample, ki so vsega teh vzelo. Kisterljeni in jume oxide je prišljiv njega v 100, zato je so tudi sevrstvena vsega zelo, and indication what we are dealing with. Two things. density dependent and a strict property of the insulating state. It does not occur otherwise. Ok? That's important. Now, as I said, these are not the only systems that show that there is another set of systems, which is sort of different. There are situations in other insulators. Grannularne systemi, nekaj materijali nekaj materijali nekaj materijali nekaj materijali in v izgledanjem izgledanjem, izgleda se, da je memoria. OK? Nowe, kako je zelo na te systemi, v tem, da je zelo kompletno izgledanje, vzelo, kaj je zelo, nekaj materijali, nekaj vzelo, na vse zelo. In na vse je granularne. Neljšči je magneti. Neljšči je potenšeljno superkondakta, kaj je nekaj disoder. Neljšči, kako je vse, neljšči je vse zelo vzelo. tako, da je to zelo vsega, vsega, načinjena, nekaj učinje, zelo načinje, nekaj učinje, nekaj učinje, nekaj učinje. Ne, nekaj. Tebo tudi sestimi, ki so početni, da je vsega učinje, in za nekaj učinje, da je vsega vsega vsega vsega vsega, da se vseče, da se lahko zelo, ker je tudi jeznačno, da se oči. Silikon in gallium arsenide. Zelo, da ne zelo, ne zelo, da ne bi se vseče. In ne zelo, da ne bi seče vsiče elektronikovne glasne vseče. Vseč, če je zelo, s Silikonem? Vseč, če je zelo, s gallium arsenide? Zelo, da ne bi su superkondakta, Ljuk na nosi. Ni se lepste o to problemu, ne smo ni mali ani nekaj. Volj je ovo, to je in ovo ta vsezdom. Pozinaj smo, da vam ingrej. Volj je, da nekaj, da bom početil, nekaj nekaj nežal, prici z silnikom dalevom masnovali in se vsez, da je izvah z tem. Kaj je koncentrata. Tudi zelo sem izgledaj, da ima način izgledaj, vse je zelo donacije karjera, kaj je nekaj 10-19 cm per cubic cm. Ako 10-20 cm. To je vse, ker me zelo lahko bilo. Zelo smo prikljuvačili, da bilo dobro na češenih result. To je bilo. In se zelo prezidenta ga vse neskone. To ne bolje, neko različi. In nekaj system. To je hrečnja koncentrace, izgleda se in izgleda me, da se neаноje tem, da se vseh zelo počkel. Vseh ne lahko vsega vsega, neskone, da ne tega do ten vsega. Kaj je to začel, kaj ima vsega vsakje dela? Zato je tukaj, kar mi je vsega. Svoja, da dovolj, zelo dirty, truth, inically this is what I am going to show you. It is important in setting up the dynamics, either directly or directly responsible for the slow relaxation of this system. I'm going to show you two different experiments to illustrate that, where I change career concentration by some means In sem biločila vzpravljenje vzpravljenje vzpravljenje vzpravljenje vzpravljenje. Zato je najbolj ta resultat, ki je zelo na tajom čalkogeni. Zelo smo počkaj z vzpe, da je vzpe izgleda, da je vzpe vzpe vzpe vzpe. In izgledajte, nekaj za očnje, značno se najledno hrvč, ... in nekaj za vseh, da se nekaj vseh. In se počeš, da se tako nekaj priče, ... značno se na predstavno vseh. Nekaj nekaj priče. In nadaljno, da tudi počeš, ko se zelo, ... in okazno tudi ta hrvč vseh, povezavač nareditovo in za kaj ljetinč neko se čarjila, neko se neko se neko se neko se neko se neko se neko se neko se neko se neko se neko se neko sa neko povoljamo u poh merchantu zima, da izgledaš obtak. je new deep that appears at the new equilibrium position, while the old deep slowly decaying away. And if we plot the amplitude of the old memory deep versus time, and the amplitude of the new memory deep as a function of time, this is how it goes, and that gives us kaj je zelo remija, da je paračana na napalj Cryst, tako, da je pravda za kompariziranje napaljene informacije, če je najbolj samo, ničestnije toga čestnije, da se zelo remija, da smo tako pral pojah, taj glas, ki je zelo, da je delavna v stranju. Sve Neptune ta protokol je, jih je, jih desaj nekaj. Tjega naume je zelo tako, čeg je. Ještje se je nekaj paramet 90, nekako, da v njiž izvajajte parametri, na kratkem protokoli, je tudi jedno in tudi nekaj, da nekaj priješel, tako, očenek, nekaj vse zelo, na kaj zelo, se da smo pristili, da smo njega izvajali, to, da jo očo je začala, oče se priča, da se dovoljamo, je, da smo početni, koncentracije karaj, kaj je inštje, sem zelo, 10 do 20. S njemnimi časem, zelo sem izgleda vse ilustracije, to je vse občas, nesel je. Zatakajte, kako ima vse dobro, nekaj neč vse dobro, potrebe se, nekaj nekaj nekaj dobro, nekaj nekaj dobro, nekaj nekaj nekaj dobro, nekaj nekaj dobro, nekaj nekaj nekaj dobro, vzelo, da je vseč nekaj. In potem, vzelo, je bilo je vseč nekaj infrarajstv. Poznači se, da je kot več sekund, in je to vseč, in je poznačen in je sreč, pa potem, poznančno, pa je so vseč za več več vseč. Vseč, na tej temperaturji, If you want to get rid of it, you have to wait like 3,000 years for that to come. 3,000 years, that would be the time that this will dissipate itself. But you can get quickly rid of it by warming it up above 30 or 40 degrees Kelvin. This is a well-known phenomenon in semiconductors. It's called persistent photo conductivity. It's associated with increase of the carrier concentration generated, photo generated by the infrared source, which is more than enough for this neuro-gap semiconductor. I'm not going to go into the mechanism of what prevents this electron and hole from recombining. That's another issue. I'm just going to use the fact that we have the same sample with the same grain boundaries, the same more or less the same defect now with a higher carrier concentration, which is not so easy to achieve while you have such initial high carrier concentration. Usually persistent photo conductivity is observed in likely dope semiconductors. It is not observed in samples that have carrier concentration over 10 to the 20. So why that happens here? I don't know, but we use it. So now we have a new sample and we want to measure the dynamics and compare it with dynamics of the same sample. Now with a higher conductivity. Conductivity is not much higher. It's less than a factor of two. So now we repeat the same procedure, which is called the too deep experiment, which is self-explanatory why it's called that way. And actually you don't even have to plot it, but I do this plot for you. And you can see that the dynamics actually slowed down considerably. So the conductors went up and the dynamics became slower. You can see it in the raw data. It takes many days for it now for the new memory deep to form. And the old one to dissipate. You don't have to plot it. So this is a dramatic effect. But it is not isolated. We have seen it before. So that is the first experiment. Let me remind those of you that do know, most of you don't. That is an old experiment that we keep adding points to over the years because all those experiments are quite time consuming. In this case we do something else. We still use this protocol of too deep experiment, but we employ the amorphous indium oxide. In this case what we do is we make different samples and with different composition and therefore they have different carrier concentration. And now we plot this typical time that we get from the too deep experiment is a function of carrier concentration for a series of samples that are all amorphous indium oxide. They are different, but all of them are amorphous with different carrier concentration and you see that as you go to higher and higher carrier concentration if anything dynamics becomes slower. Now at this point here those samples may become superconducting but not with this resistance of course. Those one there are not superconducting even if you make the metallic. But I don't see the connection. OK, so what I'm going now to do is I'm going to have a quick summary. What we have seen is that using two different methods we have seen that either by changing the carrier concentration by composition, by a different LOE, or by persistent photo conductivity, one and the same result, dynamics becomes slower. Now that is consistent with the fact that in low carrier concentration systems like lightly dope semiconductors relaxation is so fast that you cannot observe the memory depth that should be there as well. You cannot observe it with a field effect experiment because you cannot sweep the gate voltage fast enough to be out of equilibrium. System relaxes much too fast. That would be consistent with that. Now there is a certain experiment that was done and reported several times that I heard. I mean it was published a few years ago on silicon in the deeply insulating regime by optical means where some slow relaxation was observed but it was quite fast. The title of the paper was ultra fast slow relaxation, something like that. So that is consistent with this. So either directly or directly, what we do not know yet is how many body effects necessary to get this slow relaxation or it is just enough to have strong enough disorder. I personally believe that the main reason is disorder and many body effects are probably on top but that remains to be done. And with that I thank you for being such a nice audience and I take again the organizers for giving me the opportunity to say my piece. Thank you.