您好,欢迎观看我们的视频。了解议法半导体ST Drive,用于MOSFET和IGBT的山极驱动器。ST Drive L638和L639系列双通道,高压半桥山极驱动器的工作电压,高达600V。电流能力范围在400-650mAh之间,可为高侧和低侧MOSFET和IGBT提供所有必要的功能。它们集成了一个自举二级管,可调死驱时间和护锁功能,能够避免两个功率开关同时导通,可用于自保护设备的智能关断功能。电流检测比较器和运算放达器,这样就可以实现此场定向控制,无需分散的外部解决方案。这种集成减少了PCB版的零件数量,也增加了布局的灵活性。它减化了各种电机应用,如工厂自动化、工业驱动、家用电器、感应加热、暖通空调、照明应用和风扇的控制系统设计。L649系列高压半桥山极驱动器能够在高达600V的电压下工作,并且具有高电流驱动能力。可实现四安培的拉电流管电流,它具有集成的自觉2机管、智能关断功能,可用于故障保护的比较器,可调死驱时间和护锁功能。其稳健性极好,这是其成为家用电器、电源装置、工厂自动化、HID振流器、无线充电器和工业逆遍器的电机驱动器的理想选择。STGAP-EAS磁隔离式单通道山极驱动器具有5安培的拉电流管电流驱动器电流能力,以及高达1500V的高压轨,使用于汽车应用,它可实现更好的稳定性、噪声抗扰性和设计灵活性。具有包括迷了前卫、续保核检测、卧电流检测专用感应引脚,输出两接电瓶关断和VCE过压保护等保护功能,可轻松设计高可靠性系统。存在6级开路诊断输出,可通过SPI监控详细的器件状态,每个功能的参数都可以通过SPI进行编程,使得该设备非常灵活,可以适应各种应用。该器件的高电流能力使其具有很大的应用范围,包括电动车辆、600和1200V内变器等工业应用、运动控制系统、电源转换应用以及太阳能内变器。更多信息请访问www.st.com-gatedrivers