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「波長超安定・狭帯域窒化物半導体赤色発光ダイオード」 大阪大学 大学院工学研究科 マテリアル生産科学専攻 教授 藤原 康文

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Published on May 8, 2018

「大阪大学 新技術説明会」(2018年01月25日開催)にて発表。https://shingi.jst.go.jp/list/osaka-u...

【新技術の概要】
赤色蛍光体に広く用いられる3価のEuイオンを添加したGaNを活性層とする発光ダイオード(LED)を作製し、電気を流すことにより高輝度な赤色発光を得ることに世界で初めて成功した。本発明の赤色LEDは従来のAlGaInP/GaAs系赤色LEDと異なり、結晶成長技術により青色/緑色LEDと併せて、同一基板上に集積化することが可能である。

【従来技術・競合技術との比較】
従来の赤色LEDや開発途上のInGaN/GaN系赤色LEDはバンド間遷移を用いているため、発光波長は温度の上昇とともに長波長化する。一方、その半値幅は従来の赤色LEDでは20nm、InGaN/GaN系赤色LEDでは50-70nmとブロードである。本赤色LEDの環境温度に対する波長安定性は100倍高く、その発光半値幅は1nm以下と超狭帯域である。

【新技術の特徴】
・希土類イオンの内殻遷移発光
・波長超安定発光
・狭帯域発光

【想定される用途】
・超小型・高精細LEDディスプレイ
・ヘッドマウントディスプレイ
・超小型LEDプロジェクター

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